Samsung opracował najmniejsze na świecie 8-gigabitowe kości DDR4. Wykorzystał do tego ulepszoną litografię 10 nm. Jednak nie to jest w tej historii najważniejsze. Koreańczycy już szykują się do produkcji modułów DDR5, GDDR6 oraz HBM3.
Nowe kości są znacznym usprawnieniem w porównaniu do pierwszej generacji. Według Samsunga osiągają o 30 procent lepszą efektywność. Z kolei wydajność wzrosła o 10 procent, a zużycie energii zmalało o 15 procent. To pozwoli na produkowanie jeszcze lepszych pamięci RAM DDR4. Zakończyły się już testy, które potwierdziły kompatybilność z aktualnie wykorzystywanymi procesorami, więc teraz pora na współpracę z producentami RAM-ów.
Jednocześnie firma już teraz zapowiedziała, że przyspiesza prace nad kolejną generacją kości DRAM, które miałyby trafić do pamięci DDR5, a także HBM3 i GDDR6 dla kart graficznych. Koreańczycy celują przede wszystkim w rynek serwerowy, urządzeń mobilnych, superkomputerów, systemów typu HPC oraz high-endowych kart graficznych.
Dla przypomnienia, pamięci GDDR6 mają osiągać przepustowość na poziomie 16 Gbps, czyli prawie o 50 procent wyższą niż w przypadku GDDR5X. Z kolei HBM3 mają być dwa razy szybsze od HBM2, co oznacza aż 4 GT/s. Przy 1024-bitowym interfejsie oznaczałoby to przepustowość aż 512 GB. Jeśli chodzi o DDR5, to tutaj spodziewany jest wzrost od 1,5 do 2 razy w porównaniu do DDR4.
Źródło: Engadget
